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CMPTA96LEADFREE

更新时间： 2024-02-20 21:06:49
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 322K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPTA96LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.34最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：450 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

CMPTA96LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPTA96LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPTA96  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
EXTREMELY HIGH VOLTAGE  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA96 type  
is a surface mount epoxy molded PNP silicon planar  
epitaxial transistor designed for extremely high voltage  
applications.  
MARKING CODE: C96  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
450  
450  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=400V  
=4.0V  
100  
100  
nA  
nA  
V
CBO  
EBO  
CB  
BE  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
450  
450  
6.0  
500  
490  
9.7  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =1.0mA, I =0.1mA  
0.20  
0.30  
0.50  
1.0  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
0.15  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
h
h
h
V
=10V, I =1.0mA  
40  
50  
45  
25  
20  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
120  
35  
200  
FE  
C
=10V, I =50mA  
FE  
C
=10V, I =100mA  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=10MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
C
=20V, I =0, f=1.0MHz  
7.0  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
130  
pF  
C
R3 (3-February 2010)  
12

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CMPTA96LEADFREE 替代型号

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