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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT5087
CMPT5087 PDF预览

CMPT5087

更新时间： 2024-09-20 22:40:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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CMPT5087 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.14其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：250
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

CMPT5087 数据手册

 浏览型号CMPT5087的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CMPT5086  
CMPT5087  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMPT5086,CMPT5087typesarePNPsilicon  
transistors manufactured by the epitaxial  
planar process, epoxy molded in a surface  
mount package, designed for applications  
requiring high gain and low noise.  
Marking Codes are C2P and C2Q  
Respectively.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
50  
50  
3.0  
50  
V
V
V
mA  
mW  
CBO  
CEO  
EBO  
I
P
C
Power Dissipation  
350  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
C/W  
J stg  
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
CMPT5086  
CMPT5087  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=10V  
=35V  
10  
50  
10  
nA  
nA  
V
V
V
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
T
ob  
fe  
CB  
CB  
50  
50  
BV  
BV  
BV  
V
V
h
h
h
I =100µA  
50  
50  
3.0  
C
I =1.0mA  
50  
3.0  
C
I =100µA  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.30  
0.85  
500  
0.30  
0.85  
800  
V
V
C
B
B
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
V
=5.0V, I =0.1mA  
=5.0V, I =1.0mA  
C
=5.0V, I =10mA  
=5.0V, I =500µA, f=20MHz  
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz 150 600  
C
150  
150  
150  
40  
250  
250  
250  
40  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
V
V
V
V
V
C
C
E
f
C
h
MHz  
pF  
4.0  
4.0  
900  
250  
178  
12

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CMPT5087 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT5087LT1G ONSEMI

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MMBT5087LT3G ONSEMI

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 Amplifier Transistor

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CMPT5087BK CENTRAL

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CMPT5087BKPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT5087E CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMPT5087E_10 CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMPT5087EBK CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
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