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CMPT5087TR

更新时间: 2024-09-21 19:20:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

CMPT5087TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.13
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):250
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

CMPT5087TR 数据手册

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