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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT5088
CMPT5088 PDF预览

CMPT5088

更新时间： 2024-09-20 22:40:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTORS

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CMPT5088 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：1.17其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHz

CMPT5088 数据手册

 浏览型号CMPT5088的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPT5088  
CMPT5089  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5088,  
CMPT5089 types are NPN silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for small signal general purpose and  
switching applications. Marking Codes are C1Q,  
C1R respectively.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS: (T =25 C)  
A
SYMBOL  
CMPT5088  
CMPT5089  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
35  
30  
30  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
V
4.5  
50  
V
mA  
mW  
I
C
Power Dissipation  
P
350  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
C
J
o
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25 C unless otherwise noted)  
A
CMPT5088  
CMPT5089  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=20V  
=15V  
=3.0V  
=4.5V  
50  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
EB  
50  
nA  
nA  
nA  
V
V
V
50  
100  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
35  
30  
4.5  
30  
25  
4.5  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
C
I =100µA  
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.5  
0.8  
900  
0.5  
0.8  
1200  
V
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
C
B
B
I =10mA, I =1.0mA  
h
h
h
V
=5.0V, I =0.1mA  
300  
350  
300  
50  
400  
450  
400  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
C
FE  
FE  
T
=5.0V, I =10mA  
C
f
=5.0V, I =500µA, f=20MHz  
MHz  
pF  
pF  
C
C
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
15  
1400  
4.0  
15  
1800  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
h
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
350  
450  
fe  
C
NF  
=5.0V, I =100µA, R =10kΩ  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
3.0  
2.0  
dB  
R4 ( 2 -October 2001)  
12

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与CMPT5088相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT5088_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
CMPT5088BK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT5088BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMPT5088E CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMPT5088EBK CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMPT5088ELEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMPT5088EPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMPT5088ETR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMPT5088LEADFREE CENTRAL

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