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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT4403TR
CMPT4403TR PDF预览

CMPT4403TR

更新时间： 2024-09-21 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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CMPT4403TR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.11
最大集电极电流 (IC)：0.6 A基于收集器的最大容量：8.5 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：255 ns最大开启时间（吨）：35 ns
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

CMPT4403TR 数据手册

 浏览型号CMPT4403TR的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT4401,  
CMPT4403 types are complementary silicon  
transistors manufactured by the epitaxial planar  
process, epoxy molded in a surface mount  
package, designed for small signal general  
purpose amplifier and switching applications.  
CMPT4401 NPN  
CMPT4403 PNP  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
MARKING CODES:  
CMPT4401: C2X  
CMPT4403: C2T  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
CMPT4401  
CMPT4403  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
60  
40  
V
CBO  
CEO  
EBO  
40  
6.0  
40  
5.0  
V
V
mA  
mW  
I
P
600  
350  
C
D
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMPT4401  
CMPT4403  
SYMBOL TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
0.1  
0.1  
MIN  
MAX  
0.1  
UNITS  
I
I
V
V
=35V, V =0.4V  
=35V, V =0.4V  
EB  
µA  
µA  
V
V
V
V
V
V
V
CEV  
BEV  
CBO  
CEO  
CE  
CE  
EB  
0.1  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
I =100µA  
60  
40  
6.0  
40  
40  
5.0  
C
I =1.0mA  
C
I =100µA  
EBO  
E
I =150mA, I =15mA  
0.40  
0.75  
0.95  
1.2  
0.40  
0.75  
0.95  
1.3  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
B
B
B
I =500mA, I =50mA  
C
I =150mA, I =15mA  
0.75  
0.75  
C
I =500mA, I =50mA  
C
V
=1.0V, I =0.1mA  
C
20  
40  
80  
30  
60  
100  
CE  
CE  
CE  
V
V
=1.0V, IC=1.0mA  
FE  
FE  
=1.0V, I =10mA  
C
R4 (26-September 2002)  
12

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CMPT4403TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT4403-7-F DIODES

功能相似

 PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403LT3G ONSEMI

功能相似

 Switching Transistor
MMBT4403LT1G ONSEMI

功能相似

 Switching Transistor(PNP Silicon)

与CMPT4403TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT4403TR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
CMPT4403TRLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
CMPT4403TRPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT491E CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
CMPT491E_10 CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
CMPT491EBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMPT491ELEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC P
CMPT491EPBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMPT491ETIN/LEAD CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMPT491ETR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3

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