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CMPT491ELEADFREE PDF预览

CMPT491ELEADFREE

更新时间： 2024-09-21 20:58:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 391K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT491ELEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.24最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

CMPT491ELEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT491ELEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT491E  
www.centralsemi.com  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT491E type is  
an Enhanced version of the industry standard 491 NPN  
silicon transistor. This device is manufactured by the  
epitaxial planar process and epoxy molded in an  
SOT-23 surface mount package. The CMPT491E  
features Low V  
designed for high current general purpose amplifier  
applications.  
, high h  
and has been  
CE(SAT)  
FE,  
MARKING CODE: C49  
SOT-23 CASE  
COMPLEMENTARY TYPE: CMPT591E  
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:  
♦ V  
@ 1.0A = 0.4V MAX (from 0.5V MAX)  
CE(SAT)  
♦ h @ 500mA = 200 MIN (from 100 MIN)  
FE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
mA  
A
mW  
°C  
A
V
V
V
80  
60  
5.0  
1.0  
200  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
I
C
I
B
I
2.0  
350  
CM  
P
D
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
UNITS  
I
I
V
V
=60V  
=4.0V  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
BV  
BV  
I =100µA  
80  
60  
5.0  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
C
♦BVVEBO  
I =500mA, I =50mA  
0.20  
0.40  
1.1  
I =100µA  
E
CE(SAT)  
C
C
B
♦V  
V
I =1.0A, I =100mA  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
V
V
=5.0V, I =1.0A  
1.0  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
♦
h
h
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
=5.0V, I =500mA  
C
200  
200  
50  
15  
150  
C
600  
♦
FE  
h
h
=5.0V, I =1.0A  
FE  
FE  
C
=5.0V, I =2.0A  
C
f
=10V, I =50mA, f=100MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
E
C
10  
ob  
♦ Enhanced specification  
R4 (27-January 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT491EPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMPT491ETIN/LEAD CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMPT491ETR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3
CMPT491ETRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CMPT-5.60-0.59 NUVOTEM TALEMA

获取价格

 		Common Mode Toroidal Chokes
CMPT5086 CENTRAL

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 		PNP SILICON TRANSISTOR
CMPT5086_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
CMPT5086BK CENTRAL

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