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CMPT3019TR13LEADFREE

更新时间： 2024-11-08 14:48:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 99K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT3019TR13LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.18最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：12 pF集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

CMPT3019TR13LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT3019TR13LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMPT3019  
Semiconductor Corp.  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3019  
type is an NPN silicon transistor manufactured  
by the epitaxial planar process, epoxy molded in  
a surface mount package, designed for very  
high current, general purpose amplifier  
applications.  
MARKING CODE: C3A  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
120  
80  
7.0  
500  
1.0  
350  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
mA  
A
I
C
I
P
CM  
D
mW  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=90V  
=5.0V  
10  
10  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
h
h
h
h
I =100µA  
120  
80  
7.0  
C
I =30mA  
C
I =100µA  
EBO  
E
I =150mA, I =15mA  
0.2  
0.5  
1.1  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
T
ob  
ib  
C
B
B
B
C
I =500mA, I =50mA  
C
I =150mA, I =15mA  
C
V
=10V, I =0.1mA  
=10V, I =10mA  
C
=10V, I =150mA  
=10V, I =500mA  
=10V, I =50mA, f=1.0MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
50  
90  
100  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
CE  
V
V
V
V
V
V
V
300  
C
C
C
E
C
C
f
C
C
100  
MHz  
pF  
pF  
12  
60  
4.0  
NF  
=10V, I =100mA, R =1kΩ, f=1.0kHz  
dB  
S
R2 (13-November 2002)  
12

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