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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT2369
CMPT2369 PDF预览

CMPT2369

更新时间： 2024-11-07 22:40:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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CMPT2369 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.13最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：500 MHz
最大关闭时间（toff）：18 ns最大开启时间（吨）：12 ns
Base Number Matches：1

CMPT2369 数据手册

 浏览型号CMPT2369的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CMPT2369  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
DESCRIPTION:  
NPN SILICON TRANSISTOR  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMPT2369 type is an NPN silicon transistor  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for ultra high speed switching  
applications.  
Marking Code is C1J.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
V
40  
40  
15  
4.5  
500  
350  
V
V
V
CBO  
CES  
CEO  
EBO  
V
I
P
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
C/W  
J stg  
o
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
0.4  
30  
UNITS  
I
I
V
V
=20V  
=20V, T =125 C  
µA  
µA  
V
V
V
V
V
V
CBO  
CBO  
CB  
CB  
o
A
BV  
BV  
BV  
BV  
V
V
h
h
C
f
t
t
I =10µA  
40  
40  
15  
CBO  
CES  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
ob  
T
s
on  
C
I =10µA  
C
I =10mA  
C
I =10µA  
4.5  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.25  
0.85  
120  
C
C=  
B
B
C
I
10mA, I =1.0mA  
=1.0V, I =10mA  
0.7  
40  
20  
V
V
V
V
V
V
V
CE  
=2.0V, I =100mA  
CE  
CB  
CE  
CC  
CC  
CC  
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
E
4.0  
pF  
MHz  
ns  
ns  
ns  
=10V, I =10mA, f=100MHz  
C
500  
=3.0V, I =I =I =10mA  
13  
12  
18  
C B1 B2  
=3.0V, I =10mA, I =3.0mA  
C
B1  
B1  
t
=3.0V, I =10mA, I =3.0mA, I =1.5mA  
off  
C
B2  
160  
12

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CMPT2369 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CMPT2369TR CENTRAL

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
MMBT2369ALT1G ONSEMI

功能相似

 Switching Transistors NPN Silicon
MMBT2369 FAIRCHILD

功能相似

 NPN Switching Transistor

与CMPT2369相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT2369_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
CMPT2369BK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT2369BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT2369LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMPT2369PBFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMPT2369TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT2369TR13 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT2369TR13LEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT2369TRLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT2369TRPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,

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