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CMPT2369TR

更新时间: 2024-11-08 15:29:39
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CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 32K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

CMPT2369TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.13
最大集电极电流 (IC):0.5 A基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):500 MHz
最大关闭时间(toff):18 ns最大开启时间(吨):12 ns
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

CMPT2369TR 数据手册

 浏览型号CMPT2369TR的Datasheet PDF文件第2页 

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