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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.18 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 100 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| VCEsat-Max： | 1.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CMPT2907AE | CENTRAL |
功能相似  |
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| CMPT2907A | CENTRAL |
功能相似 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMPT2907AE | CENTRAL |
获取价格 |
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| CMPT2907AE_10 | CENTRAL |
获取价格 |
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| CMPT2907AEBK | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| CMPT2907AELEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| CMPT2907AETIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| CMPT2907ATR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| CMPT-3.30-0.23 | NUVOTEM TALEMA |
获取价格 |
Common Mode Toroidal Chokes |
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| CMPT-3.30-1.32 | NUVOTEM TALEMA |
获取价格 |
Common Mode Toroidal Chokes |
|
| CMPT3019 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| CMPT3019 | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-23 |
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