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CMPT2907AE PDF预览

CMPT2907AE

更新时间： 2024-09-21 04:09:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 142K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

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CMPT2907AE 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.31
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：75
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：100 ns
最大开启时间（吨）：45 nsBase Number Matches：1

CMPT2907AE 数据手册

 浏览型号CMPT2907AE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPT2907AE  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
The Central Semiconductor CMPT2907AE is an  
Enhanced version of the CMPT2907A PNP  
Switching transistor in a SOT-23 surface mount  
package, designed for switching applications,  
interface circuit and driver circuit applications.  
PNP SILICON TRANSISTOR  
MARKING CODE: C2FE  
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:  
♦ BV  
from 60V min to 90V min. (115V TYP)  
from 1.6V max to 0.7V max.(0.280V TYP)  
CBO  
♦ V  
CE(SAT)  
SOT-23 CASE  
♦ h  
FE  
from 50 min to 75 min. (110 TYP)  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
♦
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
90  
60  
V
V
V
CBO  
V
CEO  
V
5.0  
600  
350  
EBO  
I
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
10  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
V
V
V
V
I
I
I
V
V
V
=50V  
=50V, T =125°C  
=30V, V =0.5V  
EB  
CBO  
CBO  
CEV  
CBO  
CEO  
CB  
CB  
CE  
A
50  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
I =10µA  
90  
60  
5.0  
115  
♦
C
I =10mA  
C
I =10µA  
EBO  
E
I =150mA, I =15mA  
0.103  
0.280  
0.2  
0.7  
1.3  
2.6  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
C
B
B
B
B
♦
♦
I =500mA, I =50mA  
C
I =150mA, I =15mA  
V
V
C
I =500mA, I =50mA  
C
V
=10V, I =0.1mA  
C
100  
100  
100  
100  
75  
205  
110  
♦
♦
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
h
h
h
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
C
=10V, I =10mA  
C
=10V, I =150mA  
C
300  
h
=10V, I =500mA  
FE  
C
f
C
C
=20V, I =50mA, f=100MHz  
200  
MHz  
pF  
pF  
T
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
8.0  
30  
ob  
ib  
E
=2.0V, I =0, f=1.0MHz  
C
♦
Enhanced specification.  
R1 (20-February 2003)  
12

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CMPT2907AE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CMPT2907A CENTRAL

类似代替

 PNP SILICON TRANSISTOR
CMPT2907ABK CENTRAL

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

与CMPT2907AE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT2907AE_10 CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
CMPT2907AEBK CENTRAL

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 		Transistor
CMPT2907AELEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
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CMPT-3.30-0.23 NUVOTEM TALEMA

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR

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