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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.11 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 285 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMPT2222ABKLEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CMPT2222ABKPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CMPT2222AE | CENTRAL |
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ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CMPT2222AE_10 | CENTRAL |
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ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CMPT2222AEBK | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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| CMPT2222AEBKLEADFREE | CENTRAL |
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Transistor |
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| CMPT2222AETIN/LEAD | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| CMPT2222AETR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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| CMPT2222AETRLEADFREE | CENTRAL |
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Transistor |
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| CMPT2222AETRPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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