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CMPT2222AEBKLEADFREE PDF预览

CMPT2222AEBKLEADFREE

更新时间： 2024-09-21 19:56:27
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 330K
描述
Transistor

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CMPT2222AEBKLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：0.6 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

CMPT2222AEBKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT2222AEBKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT2222AE  
www.centralsemi.com  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT2222AE  
is an Enhanced version of the CMPT2222A NPN  
Switching transistor in a SOT-23 surface mount  
package, designed for switching applications, interface  
circuit and driver circuit applications.  
MARKING CODE: C1PE  
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:  
♦ BV  
from 75V min to 100V min. (145V TYP)  
CBO  
SOT-23 CASE  
♦ V from 1.0V max to 0.5V max. (0.12V TYP)  
CE  
♦ h from 40 to 60 min. (130 TYP)  
FE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
A
♦
♦
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
V
V
100  
45  
6.0  
600  
350  
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
P
mA  
mW  
°C  
C
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
357  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=60V  
=60V, T =125°C  
=60V, V =3.0V  
=3.0V  
10  
10  
10  
10  
CBO  
CBO  
CEV  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
T
CB  
CB  
CE  
EB  
A
EB  
BV  
I =10µA  
100  
45  
6.0  
145  
53  
♦
C
♦BV  
I =10mA  
C
BV  
I =10μA  
E
♦V  
I =150mA, I =15mA  
0.92  
0.12  
0.15  
0.50  
1.2  
C
B
B
B
B
♦V  
I =500mA, I =50mA  
C
V
I =150mA, I =15mA  
0.6  
V
V
C
V
h
I =500mA, I =50mA  
2.0  
C
V
=10V, I =0.1mA  
100  
100  
100  
75  
100  
60  
210  
205  
205  
150  
♦
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
C
♦h  
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
C
♦h  
=10V, I =10mA  
C
h
=1.0V, I =150mA  
C
♦
h
h
f
=10V, I =150mA  
300  
C
=10V, I =500mA  
C
130  
♦
=20V, I =20mA, f=100MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
300  
MHz  
pF  
pF  
C
E
C
C
C
8.0  
25  
ob  
ib  
♦ Enhanced specification  
R2 (1-February 2010)  
12

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