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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CMPS5061TIN/LEAD
CMPS5061TIN/LEAD PDF预览

CMPS5061TIN/LEAD

更新时间： 2024-09-16 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置可控硅整流器光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 324K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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CMPS5061TIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.91
JESD-609代码：e0峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CMPS5061TIN/LEAD 数据手册

 浏览型号CMPS5061TIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
CMPS5061  
CMPS5062  
CMPS5063  
CMPS5064  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPS5061 Series  
types are epoxy molded PNPN Silicon Controlled  
Rectifiers manufactured in an SOT-23 case, designed  
for control systems and sensing circuit applications.  
MARKING CODE: CMPS5061: P2A  
CMPS5062: P2B  
CMPS5063: P2C  
CMPS5064: P2D  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL CMPS5061 CMPS5062 CMPS5063 CMPS5064 UNITS  
A
Peak Repetitive Off-State Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
RMS On-State Current  
V
100  
200  
300  
400  
V
DRM  
RRM  
V
100  
200  
300  
400  
V
I
0.25  
0.16  
350  
A
T(RMS)  
Average On-State Current  
Power Dissipation  
I
A
T(AV)  
P
mW  
°C  
°C  
°C/W  
D
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
-65 to +125  
-65 to +150  
286  
J
T
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
SYMBOL TEST CONDITIONS  
CMPS5061 CMPS5062 CMPS5063 CMPS5064  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS  
A
I
I
I
I
V =Rated V  
, R =1.0KΩ  
-
1.0  
1.0  
50  
-
1.0  
1.0  
50  
-
1.0  
1.0  
50  
-
1.0  
1.0  
50  
μA  
μA  
μA  
μA  
V
DRM  
RRM  
DRM  
RRM  
D
DRM GK  
V =Rated V  
, R =1.0KΩ  
DRM GK  
-
-
-
-
D
V =Rated V  
, R =1.0KΩ, T =125°C  
-
-
-
-
D
DRM GK  
C
V =Rated V  
, R =1.0KΩ, T =125°C  
-
50  
-
50  
-
50  
-
50  
D
DRM GK  
C
V
I =1.2A  
-
1.7  
200  
0.8  
-
-
1.7  
200  
0.8  
-
-
1.7  
200  
0.8  
-
-
1.7  
200  
0.8  
-
TM  
T
I
V =7.0V, R =100Ω  
-
-
-
-
-
-
-
-
μA  
V
GT  
D
L
V
V =7.0V, R =100Ω  
GT  
GD  
D L  
V
V = Rated V  
DRM  
, R =100Ω, T =125°C  
0.1  
-
0.1  
-
0.1  
-
0.1  
-
V
D
L
C
I
t
R
=1.0KΩ  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
mA  
H
GK  
V = Rated V  
, I =1.0mA,  
on  
D
GK  
DRM GT  
=1.0KΩ, di/dt=6.0A/μs  
R
2.8 TYP  
2.8 TYP  
2.8 TYP  
2.8 TYP μs  
R10 (11-February 2011)  
12

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与CMPS5061TIN/LEAD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPS5061TR13 CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 160mA I(T), 100V V(DRM)
CMPS5061TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 100V V(DRM)
CMPS5061TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMPS5062 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER
CMPS5062BK CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 510mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elemen
CMPS5062LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, ROHS COMP
CMPS5062TR CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 510mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elemen
CMPS5062TR13 CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 160mA I(T), 200V V(DRM)
CMPS5062TR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 160mA I(T), 200V V(DRM)
CMPS5062TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 200V V(DRM),

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