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CMPS5062TR13LEADFREE PDF预览

CMPS5062TR13LEADFREE

更新时间： 2024-10-30 19:30:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 324K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 160mA I(T), 200V V(DRM)

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CMPS5062TR13LEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大维持电流：5 mA
最大漏电流：0.05 mA最大通态电压：1.7 V
最大通态电流：160 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C断态重复峰值电压：200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CMPS5062TR13LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPS5062TR13LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPS5061  
CMPS5062  
CMPS5063  
CMPS5064  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPS5061 Series  
types are epoxy molded PNPN Silicon Controlled  
Rectifiers manufactured in an SOT-23 case, designed  
for control systems and sensing circuit applications.  
MARKING CODE: CMPS5061: P2A  
CMPS5062: P2B  
CMPS5063: P2C  
CMPS5064: P2D  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL CMPS5061 CMPS5062 CMPS5063 CMPS5064 UNITS  
A
Peak Repetitive Off-State Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
RMS On-State Current  
V
100  
200  
300  
400  
V
DRM  
RRM  
V
100  
200  
300  
400  
V
I
0.25  
0.16  
350  
A
T(RMS)  
Average On-State Current  
Power Dissipation  
I
A
T(AV)  
P
mW  
°C  
°C  
°C/W  
D
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
-65 to +125  
-65 to +150  
286  
J
T
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
SYMBOL TEST CONDITIONS  
CMPS5061 CMPS5062 CMPS5063 CMPS5064  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS  
A
I
I
I
I
V =Rated V  
, R =1.0KΩ  
-
1.0  
1.0  
50  
-
1.0  
1.0  
50  
-
1.0  
1.0  
50  
-
1.0  
1.0  
50  
μA  
μA  
μA  
μA  
V
DRM  
RRM  
DRM  
RRM  
D
DRM GK  
V =Rated V  
, R =1.0KΩ  
DRM GK  
-
-
-
-
D
V =Rated V  
, R =1.0KΩ, T =125°C  
-
-
-
-
D
DRM GK  
C
V =Rated V  
, R =1.0KΩ, T =125°C  
-
50  
-
50  
-
50  
-
50  
D
DRM GK  
C
V
I =1.2A  
-
1.7  
200  
0.8  
-
-
1.7  
200  
0.8  
-
-
1.7  
200  
0.8  
-
-
1.7  
200  
0.8  
-
TM  
T
I
V =7.0V, R =100Ω  
-
-
-
-
-
-
-
-
μA  
V
GT  
D
L
V
V =7.0V, R =100Ω  
GT  
GD  
D L  
V
V = Rated V  
DRM  
, R =100Ω, T =125°C  
0.1  
-
0.1  
-
0.1  
-
0.1  
-
V
D
L
C
I
t
R
=1.0KΩ  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
mA  
H
GK  
V = Rated V  
, I =1.0mA,  
on  
D
GK  
DRM GT  
=1.0KΩ, di/dt=6.0A/μs  
R
2.8 TYP  
2.8 TYP  
2.8 TYP  
2.8 TYP μs  
R10 (11-February 2011)  
12

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与CMPS5062TR13LEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPS5062TRPBFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 200V V(DRM),
CMPS5063 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER
CMPS5063BK CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 300V V(DRM)
CMPS5063BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 300V V(DRM),
CMPS5063LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMPS5063PBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
CMPS5064 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER
CMPS5064BK CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 160mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elemen
CMPS5064BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 160mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elemen
CMPS5064BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 160mA I(T), 400V V(DRM),

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