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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CMPS5063PBFREE
CMPS5063PBFREE PDF预览

CMPS5063PBFREE

更新时间： 2024-11-04 13:07:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 112K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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CMPS5063PBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大维持电流：5 mA
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.05 mA
最大通态电流：160 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
断态重复峰值电压：300 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CMPS5063PBFREE 数据手册

 浏览型号CMPS5063PBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPS5061  
CMPS5062  
CMPS5063  
CMPS5064  
Central  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPS5061  
Series types are epoxy molded PNPN Silicon  
Controlled Rectifiers manufactured in an SOT-23  
case, designed for control systems and sensing  
circuit applications.  
MARKING CODES: CMPS5061: P2A  
CMPS5062: P2B  
CMPS5063: P2C  
CMPS5064: P2D  
SOT-23 CASE  
CMPS CMPS CMPS CMPS  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL 5061  
5062  
5063  
5064 UNITS  
A
Peak Repetitive Off-State Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
RMS On-State Current  
V
100  
200  
300  
400  
V
DRM  
RRM  
V
100  
200  
300  
400  
V
I
0.80  
0.51  
350  
A
T(RMS)  
Average On-State Current (T =67°C)  
I
A
C
T(AV)  
Power Dissipation  
P
mW  
°C  
°C  
°C/W  
D
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistance  
T
-65 to +125  
-65 to +150  
286  
J
T
stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
CMPS5061 CMPS5062 CMPS5063 CMPS5064  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX  
A
SYMBOL TEST CONDITIONS  
UNITS  
I
I
I
I
V =Rated V  
, R =1.0KΩ  
-
1.0  
1.0  
50  
-
1.0  
1.0  
50  
-
1.0  
1.0  
50  
-
1.0  
1.0  
50  
μA  
DRM  
RRM  
DRM  
RRM  
D
DRM GK  
V =Rated V  
, R =1.0KΩ  
-
-
-
-
μA  
μA  
μA  
V
D
DRM GK  
V =Rated V , R =1.0KΩ, T =125°C  
-
-
-
-
D
DRM GK  
C
V =Rated V , R =1.0KΩ, T =125°C  
-
50  
-
50  
-
50  
-
50  
D
DRM GK  
C
V
I =1.2A  
-
1.7  
200  
0.8  
-
-
1.7  
200  
0.8  
-
-
1.7  
200  
0.8  
-
-
1.7  
200  
0.8  
-
TM  
T
I
V =7.0V, R =100Ω  
-
-
-
-
-
-
-
-
μA  
V
GT  
D
L
V
V
V =7.0V, R =100Ω  
GT  
GD  
D L  
V = Rated V  
DRM  
, R =100Ω, T =125°C  
0.1  
-
0.1  
-
0.1  
-
0.1  
-
V
D
L
C
I
t
R
=1.0KΩ  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
mA  
H
GK  
V = Rated V , I =1.0mA,  
DRM GT  
ON  
D
GK  
R
=1.0KΩ, di/dt=6.0A/μs  
2.8 TYP  
2.8 TYP  
2.8 TYP  
2.8 TYP  
μs  
R8 (5-August 2009)  
12

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与CMPS5063PBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPS5064 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER
CMPS5064BK CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 160mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elemen
CMPS5064BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 160mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elemen
CMPS5064BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 160mA I(T), 400V V(DRM),
CMPS5064LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, ROHS COMP
CMPS5064PBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMPS5064TR CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 510mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elemen
CMPS5064TR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 160mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elemen
CMPS5064TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 510mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elemen
CMPS5064TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 400V V(DRM),

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