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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 4 Ω | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大功率耗散： | 3.25 W | 标称参考电压： | 9.1 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 50 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZT03-C9V1AMO | NXP |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03-C9V1T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C9V1-TAP | VISHAY |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.6%, 1.3W, |
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| BZT03C9V1-TR | VISHAY |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.6%, 1.3W, |
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| BZT03D | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
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| BZT03D10 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
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| BZT03D10 | LGE |
获取价格 |
POWER DISSIPATION: 3.25 W |
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| BZT03D10 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
10V,1300mW,Zener Diodes |
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| BZT03D100 | LGE |
获取价格 |
POWER DISSIPATION: 3.25 W |
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| BZT03D100 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
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