是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.65 |
配置: | SINGLE | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 4 Ω | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大功率耗散: | 1.3 W | 标称参考电压: | 10 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 最大电压容差: | 10% |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BZT03D11 | VISHAY | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
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BZT03D11 | LGE | POWER DISSIPATION: 3.25 W |
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BZT03D11 | Galaxy Microelectronics | 11V,1300mW,Zener Diodes |
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BZT03D110 | LGE | POWER DISSIPATION: 3.25 W |
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BZT03D110 | VISHAY | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
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BZT03D110 | Galaxy Microelectronics | 110V,1300mW,Zener Diodes |
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