BZT03D110

更新时间： 2024-02-16 17:56:42

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鲁光 - LGE		稳压二极管局域网
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4页	233K
描述
POWER DISSIPATION: 3.25 W

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BZT03D110 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	250 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	1.3 W	标称参考电压：	110 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	10%
Base Number Matches：	1

BZT03D110 数据手册

BZT03 Series

Zener Diodes

V_Z: 6.2 -- 270 V

POWER DISSIPATION: 3.25 W

DO -- 15

Features

◇

Hermetically sealed package

Clamping time in picoseconds

Mechanical Data

◇

Case:JEDEC DO-15

Terminals: Axial leads solderable per MIL-

STD-202,Method 208

Dimensions in millimeters

◇

Polarity: Color band denotes cathods end

Weight: 0.014 ounces,0.39 grams

Mounting position: any

Maximum Ratings and Thermal Characteristics

(T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Unit

Parameter

Value

3.25

1.3

Total power dissipation at Ttp=25℃

Power dissipation at T_A=45℃

Ptot

P_tot

V_F

Forward voltage @I_F=0.5A

1.2

Maximum thermal resistance

junction to ambient (Note 1)

R_θJA

100

℃/W

Peak reverse power dissipation

tp=100µs square wave

P_ZSM

600

T_J

150

Junction temperature

℃

T_STG

-55 to +150

Storage temperature range

Note:1.On PC board with spacing 25mm

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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