BZT03D11-TR

更新时间： 2024-01-31 04:06:34

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管测试
页数	文件大小	规格书
5页	111K
描述
Zener Diode, 11V V(Z), 10%, 1.3W,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZT03D11-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	7 Ω
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大功率耗散：	1.3 W
标称参考电压：	11 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差：	10%	Base Number Matches：	1

BZT03D11-TR 数据手册

BZT03-Series

Vishay Semiconductors

Zener Diodes with Surge Current Specification

Features

• Glass passivated junction

• Hermetically sealed package

• Clamping time in picoseconds

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

and in accordance to WEEE 2002/96/EC

•

Halogen-free according to IEC 61249-2-21

definition

949539

Applications

• Medium power voltage regulators and medium

power transient suppression circuits

Mechanical Data

Case: SOD-57

Weight: approx. 369 mg

Packaging codes/options:

TAP / 5 k ammopack (52 mm tape) / 25 k/box

TR / 5 k 10" reel

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

P_V

Value

3.25

1.3

Unit

l = 10 mm, T_L= 25 °C

T_amb= 25 °C

Power dissipation

P_V

Repetitive peak reverse power

dissipation

P_ZRM

Non repetitive peak surge power

dissipation

t_p= 100 μs, T_j= 25 °C

P_ZSM

600

T_j

Junction temperature

175

°C

T_stg

Storage temperature range

- 65 to + 175

Thermal Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

Unit

l = 10 mm, T_L= constant

K/W

Junction ambient

R_thJA

On PC board with spacing 25 mm

100

Electrical Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

1.2

Unit

I_F= 0.5 A

Forward voltage

Document Number 85599

Rev. 1.5, 26-Aug-10

www.vishay.com

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

12 3 4 5

下载PDF

与BZT03D11-TR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZT03D12	VISHAY	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors	获取价格
BZT03D12	LGE	POWER DISSIPATION: 3.25 W	获取价格
BZT03D12	Galaxy Microelectronics	12V,1300mW,Zener Diodes	获取价格
BZT03D120	LGE	POWER DISSIPATION: 3.25 W	获取价格
BZT03D120	VISHAY	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors	获取价格
BZT03D120	Galaxy Microelectronics	120V,1300mW,Zener Diodes	获取价格