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BZT03-C9V1AMO

更新时间： 2024-09-17 20:45:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		二极管电视
页数	文件大小	规格书
9页	52K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

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BZT03-C9V1AMO 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	E-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.8	最小击穿电压：	8.5 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	E-LALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

handbook, 2 columns

M3D116

BZT03 series

Voltage regulator diodes

1996 Jun 11

Product speciﬁcation

Supersedes data of April 1992

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZT03-C9V1T/R	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03C9V1-TAP	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.6%, 1.3W,
BZT03C9V1-TR	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.6%, 1.3W,
BZT03D	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03D10	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03D10	LGE	获取价格	POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03D10	BL Galaxy Electrical	获取价格	10V,1300mW,Zener Diodes
BZT03D100	LGE	获取价格	POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03D100	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03D100	BL Galaxy Electrical	获取价格	100V,1300mW,Zener Diodes