BZT03D10

更新时间： 2024-11-06 22:06:23

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威世 - VISHAY		瞬态抑制器二极管测试
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描述
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors

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BZT03D10 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOD	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	11 V	最小击穿电压：	9 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BZT03D10 数据手册

BZT03D...

Vishay Telefunken

Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Clamping time in picoseconds

Applications

94 9539

Medium power voltage regulators and

medium power transient suppression circuits

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=10mm, T =25 C

Type Symbol

Value

3.25

1.3

600

Unit

T =25 C

amb

Repetitive peak reverse power dissipation

Non repetitive peak surge power dissipation t =100 s, T =25 C

Junction temperature

ZRM

ZSM

175

Storage temperature range

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient l=10mm, T =constant

Test Conditions

Symbol

Value

100

Unit

K/W

thJA

on PC board with spacing 25mm

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.5A

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.2

Document Number 85600

Rev. 2, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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