BZT03-C9V1

更新时间： 2024-11-06 22:28:19

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZT03-C9V1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	E-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.88
最小击穿电压：	8.5 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	13.3 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大动态阻抗：	4 Ω	JESD-30 代码：	E-LALF-W2
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	9.1 V	最大反向电流：	50 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	6.5%	工作测试电流：	50 mA
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

handbook, 2 columns

M3D116

BZT03 series

Voltage regulator diodes

1996 Jun 11

Product speciﬁcation

Supersedes data of April 1992

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZT03-C9V1/A52R	ETC	获取价格	ZENER DIODE 3.0W 9.1V
BZT03C9V1AMO	PHILIPS	获取价格	Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 3.25W,
BZT03-C9V1AMO	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03-C9V1T/R	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03C9V1-TAP	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.6%, 1.3W,
BZT03C9V1-TR	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.6%, 1.3W,
BZT03D	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03D10	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03D10	LGE	获取价格	POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03D10	BL Galaxy Electrical	获取价格	10V,1300mW,Zener Diodes