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BYG24D-HE3/TR

更新时间： 2024-11-14 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 82K
描述
DIODE 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

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BYG24D-HE3/TR 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.55
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

BYG24D-HE3/TR 数据手册

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BYG24D thru BYG24J  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Fast Avalanche SMD Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated junction  
• Low reverse current  
• Soft recovery characteristics  
• Fast reverse recovery time  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
DO-214AC (SMA)  
• AEC-Q101 qualified  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters for  
consumer, computer, automotive and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
1.5 A  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V to 600 V  
30 A  
MECHANICAL DATA  
1.0 μA  
Case: DO-214AC (SMA)  
VF  
1.25 V  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified  
trr  
140 ns  
20 mJ  
ER  
TJ max.  
150 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
BYG24D  
BYG24D  
200  
BYG24G  
BYG24J  
BYG24J  
600  
UNIT  
Device marking code  
BYG24G  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IF(AV)  
400  
1.5  
V
A
Average forward current at TA = 65 °C  
Peak forward surge current 10 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
30  
A
Pulse energy in avalanche mode, non repetitive  
(inductive load switch off) I(BR)R = 1 A, TJ = 25 °C  
ER  
20  
mJ  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Revision: 21-Dec-11  
Document Number: 88960  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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与BYG24D-HE3/TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG24DHE3/TR3 VISHAY

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 		Fast Avalanche SMD Rectifier
BYG24D-HE3/TR3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA,
BYG24D-HM3 VISHAY

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 		Fast Avalanche SMD Rectifier
BYG24D-M3 VISHAY

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 		Fast Avalanche SMD Rectifier
BYG24D-M3/TR VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, P
BYG24D-M3/TR3 VISHAY

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