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BYG24J

更新时间： 2024-02-10 21:11:27

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森美特 - SUNMATE		/
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2页	368K
描述
1.5A patch fast recovery diode 600V SMA series

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BYG24J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
应用：	FAST SOFT RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.25 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	TS 16949
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	1 µA
最大反向恢复时间：	0.14 µs	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BYG24J 数据手册

BYG24D - BYG24J

FAST AVALANCHE RECTIFIERS DIODES

VOLTAGE RANGE: 200 - 600V

CURRENT: 1.5 A

Features

Glass passivated junction

Low profile package

! Ideal for automated placement

Low reverse current

Soft recovery characteristics

Fast reverse recovery time

SMA(DO-214AC)

Dim

MinMax

Mechanical Data

2.29

4.00

1.27

0.15

4.80

0.10

0.76

2.01

2.92

4.60

1.63

0.31

5.59

0.20

1.52

2.62

Case: SMA/DO-214AC, Molded Plastic

Terminals: Solder Plated, Solderable

per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Cathode Band or Cathode Notch

Marking: Type Number

Weight: 0.064 grams (approx.)

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

T_A= 25ꢀC unless otherwise specified

For capacitive load, derate current by 20%.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

RATING

SYMBOL

BYG24D

BYG24G

BYG24J

UNIT

V_RRM

V_(BR)

I_F(AV)

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Minimum Breakdown Voltage at I_R= 100 μA

Maximum Average Forward Current

200

400

1.5

600

Peak Forward Surge Current 10 ms single half

sine wave superimposed on rated load

I_FSM

at I_F= 1 A, Tj = 25 °C

Maximum Instantaneous

1.15

1.25

1.0

V_F

Forward Voltage ⁽¹⁾

at I_F= 1.5 A, Tj = 25 °C

at V_R= V_RRM, Tj = 25 °C

at V_R= V_RRM, Tj = 100 °C

I_R

Maximum DC Reverse Current

μA

I_R(H)

Trr

Maximum Reverse Recovery Time( I_F= 0.5A, I_R= 1.0A, Irr = 0.25A)

140

R_ӨJC

R_ӨJA

Typical Thermal Resistance, Junction to Case

°C/W

(2)

150

Maximum Thermal Resistance, Junction to Ambient

Pulse energy in avalanche mode, non repetitive

(inductive load switch off) I_(BR)R= 1A, Tj = 25 °C

Operating Junction and Storage Temperature Range

E_R

°C

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Notes :

(1) Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle

(2) Mounted on epoxy-glass hard tissue 35 µm * 17 mm² cooper area per electrode.

1 of 2

www.sunmate.tw

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BYG24J-E3/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA,
BYG24JHE3	VISHAY	获取价格	Fast Avalanche SMD Rectifier
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