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BYG24G-E3 PDF预览

BYG24G-E3

更新时间： 2024-11-14 15:28:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
DIODE 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SIMILAR TO SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

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BYG24G-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.63
其他特性：FREE WHEELING, SNUBBER DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向恢复时间：0.14 µs表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

BYG24G-E3 数据手册

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BYG24  
Vishay Semiconductors  
Fast Avalanche SMD Rectifier  
Features  
• Glass passivated junction  
• Low reverse current  
• Soft recovery characteristics  
• Fast reverse recovery time  
• Wave and reflow solderable  
15811  
Applications  
Freewheeling diodes in SMPS and converters  
Snubber diodes  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
VR = 200 V @ IFAV = 1.5 A  
Package  
BYG 24 D  
BYG 24 G  
BYG 24 J  
DO-214AC  
V
V
R = 400 V @ IFAV = 1.5 A  
R = 600 V @ IFAV = 1.5 A  
DO-214AC  
DO-214AC  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
Value  
200  
Unit  
V
Reverse voltage = Repetitive  
peak reverse voltage  
BYG 24 D  
VR = VRRM  
BYG 24 G  
BYG 24 J  
VR = VRRM  
400  
600  
V
V
V
R = VRRM  
IFSM  
Peak forward surge current  
Average forward current  
tp = 10 ms, half-sinewave  
30  
A
IFAV  
1.5  
A
Junction and storage  
temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 150  
°C  
Pulse energy in avalanche  
mode, non repetitive (inductive  
load switch off)  
I
(BR)R = 1 A, Tj = 25 °C  
ER  
20  
mJ  
Maximum Thermal Resistance  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Junction case  
Test condition  
Part  
Symbol  
RthJC  
Value  
25  
Unit  
K/W  
Junction ambient  
epoxy glass hard tissue 35 µm *  
17 mm2 cooper area per  
electrode  
RthJA  
150  
K/W  
epoxy glass hard tissue 35  
RthJA  
125  
K/W  
&muMm * 50 mm2 cooper area  
per electrode  
Document Number 86067  
Rev. 1.2, 19-Oct-04  
www.vishay.com  
1
1234

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与BYG24G-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG24G-E3/HE3 VISHAY

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 		Fast Avalanche SMD Rectifier
BYG24G-E3/TR VISHAY

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 		暂无描述
BYG24G-E3/TR3 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA,
BYG24GHE3/TR VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA,
BYG24G-HE3/TR VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA,
BYG24G-HE3/TR3 VISHAY

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