BYG23M

更新时间： 2024-02-17 17:13:10

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威世 - VISHAY		整流二极管
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4页	57K
描述
Fast Silicon Mesa SMD Rectifier

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BYG23M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.42
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BYG23M 数据手册

BYG23M

Vishay Telefunken

Fast Silicon Mesa SMD Rectifier

Features

Glass passivated junction

Low reverse current

High reverse voltage

Fast reverse recovery time

Wave and reflow solderable

15 811

Applications

Freewheeling diodes in SMPS and converters

Snubber diodes

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Reverse voltage=

Test Conditions

Type

Symbol

V =

Value

1000

Unit

Repetitive peak reverse voltage

RRM

Peak forward surge current

Average forward current

t =10ms, half sinewave

1.5

FSM

= 65 C

FAV

amb

Junction and storage temperature range

Pulse energy in avalanche mode,

T =T

–55...+150

stg

=1A

(BR)R

non repetitive (inductive load switch off)

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction case

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

Value

150

Unit

K/W

thJC

thJA

mounted on epoxy–glass hard tissue,

17mm 35 m Cu

mounted on epoxy–glass hard tissue,

50mm 35 m Cu

thJA

125

100

K/W

mounted on Al–oxid–ceramic (Al O ),

50mm 35 m Cu

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 86062

Rev. 1, 13-Aug-99

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