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BYG23MHM3_A/H

更新时间： 2024-09-24 14:41:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 86K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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BYG23MHM3_A/H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMA, 2 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.62
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：ULTRA FAST RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：5 µA
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYG23MHM3_A/H 数据手册

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BYG23M  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Ultrafast Avalanche SMD Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated pellet chip junction  
• Low reverse current  
• High reverse voltage  
• Ultra fast reverse recovery time  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
SMA (DO-214AC)  
• AEC-Q101 qualified  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters for  
consumer, computer, automotive, and telecommunication.  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
1.5 A  
1000 V  
30 A  
MECHANICAL DATA  
Case: SMA (DO-214AC)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
5.0 μA  
75 ns  
1.7 V  
trr  
VF  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
ER  
20 mJ  
150 °C  
commercial grade  
Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant, and  
AEC-Q101 qualified (“_X” denotes revision code e.g. A, B,...)  
TJ max.  
Package  
SMA (DO-214AC)  
Single  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Diode variations  
M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
BYG23M  
BYG23M  
1000  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Average forward current at TA = 65 °C  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
1.5  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
30  
A
Pulse energy in avalanche mode, non repetitive  
(inductive load switch off) I(BR)R = 1 A, TJ = 25 °C  
ER  
20  
mJ  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Revision: 27-Apr-17  
Document Number: 89477  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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