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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.18 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 125 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUV10N | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| BUV11 | MOTOROLA |
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20 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 150 WATTS |
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| BUV11 | ONSEMI |
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SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
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| BUV11 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| BUV11 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| BUV11/D | ETC |
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SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
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| BUV11N | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-204AA |
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| BUV12 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| BUV18 | SEME-LAB |
获取价格 |
NPN HIGH CURENT SWITCHING TRANSISTORS |
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| BUV18 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
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