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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK9523-75A
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BUK9523-75A

更新时间： 2024-11-11 04:09:47
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
15页 134K
描述
TrenchMOS⑩ logic level FET

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BUK9523-75A 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.21雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：53 A
最大漏极电流 (ID)：53 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：138 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：213 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK9523-75A 数据手册

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BUK9523-75A; BUK9623-75A  
TrenchMOS™ logic level FET  
Rev. 01 — 10 October 2000  
Product specification  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK9523-75A in SOT78 (TO-220AB)  
BUK9623-75A in SOT404 (D 2-PAK).  
2. Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Q101 compliant  
■ 175 °C rated  
■ Logic level compatible.  
3. Applications  
■ Automotive and general purpose power switching:  
◆ 12 V, 24 V and 42 V loads  
c
c
◆ Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78, SOT404, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
mb  
mounting base;  
connected to drain (d)  
g
2
MBB076  
1
3
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT404 (D2-PAK)  
SOT78 (TO-220AB)  
 
 
 
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