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BUK952R4-40C

更新时间： 2024-11-11 09:02:27

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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13页	201K
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N-channel TrenchMOS logic level FET

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BUK952R4-40C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	270 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	333 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1080 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK952R4-40C 数据手册

BUK952R4-40C

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 02 — 11 April 2008

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

Q101 compliant

on-state resistance

Suitable for logic level gate drive

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

sources

1.3 Applications

12 V loads

Automotive systems

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1][2]

V_GS= 5 V; T_j= 25 °C;

100

see Figure 1 and 4

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

333

1.2

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

I_D= 100 A; V_sup≤ 40 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

V_DS= 32 V; see Figure 14

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12, 11

and 13

2.1

2.4

mΩ

[1] Continuous current is limited by package.

[2] Refer to document 9397 750 12572 for further information.

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BUK9535-100A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 41A I(D) \| TO-220AB
BUK9535-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9535-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor standard level FET
BUK953R2-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK953R2-40B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK953R2-40E	NXP	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
BUK953R2-40E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK953R5-60E	NXP	获取价格	120A, 60V, 0.0037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN
BUK953R5-60E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin

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