5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | ESD PROTECTION |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0195 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7510-30127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0195 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur |
|
| BUK7510-55AL | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7510-55AL_08 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7511-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7511-55B | NXP |
获取价格 |
TRENCHMOS-TM STANDARD LEVEL FET |
|
| BUK7511-55B,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
|
| BUK7513-75B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7513-75B,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
|
| BUK7514-30 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
| BUK7514-30,127 | NXP |
获取价格 |
69A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
