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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-223 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 10 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 25 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 55 ns | 最大开启时间（吨）： | 65 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK581-100A-T | NXP |
获取价格 |
0.9A, 100V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK581-100AT/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 900MA I(D) | SOT-223 |
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| BUK581-60A | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK581-60AT/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | SOT-223 |
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| BUK582-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK582-100A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1.7 A, 100 V, 0.31 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK582-100AT/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-223 |
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| BUK582-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK583-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK583-60A-T | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
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