BUJ301AX

更新时间： 2024-02-02 13:50:37

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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4页	25K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BUJ301AX 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	32 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BUJ301AX 数据手册

Philips Semiconductors

Objective specification

Silicon Diffused Power Transistor

BUJ301AX

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

Net Mass: 2 g

10.3

max

4.6

max

3.2

3.0

2.9 max

2.8

Recesses (2x)

2.5

6.4

0.8 max. depth

15.8

max

seating

plane

15.8

max.

3 max.

not tinned

2.5

13.5

min.

0.4

1.0 (2x)

0.6

2.5

0.9

0.7

2.54

0.5

5.08

1.3

Fig.1. SOT186A; The seating plane is electrically isolated from all terminals.

Notes

1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.

2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".

August 1998

Rev 1.000

1 234

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