生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.06 |
最大集电极电流 (IC): | 2 A | 配置: | Single |
最小直流电流增益 (hFE): | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 80 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUF725D | VISHAY |
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SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR | |
BUF7312 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB | |
BUF742 | TEMIC |
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Silicon NPN High Voltage Switching Transistor | |
BUF744 | TEMIC |
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Silicon NPN High Voltage Switching Transistor | |
BUF802 | TI |
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宽带宽、2.3nV/√Hz、高输入阻抗 JFET 缓冲器 | |
BUF802IRGTR | TI |
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宽带宽、2.3nV/√Hz、高输入阻抗 JFET 缓冲器 | RGT | 16 | -40 | |
BUF824F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)CEO | 36A I(C) | |
BUF824V | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)CEO | 36A I(C) | |
BUF832F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)CEO | 48A I(C) | |
BUF832V | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)CEO | 48A I(C) |