BUF744

更新时间： 2024-11-08 21:54:43

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TEMIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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9页	136K
描述
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor

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BUF744 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUF744 数据手册

BUF744

Silicon NPN High Voltage Switching Transistor

Features

Simple-sWitch-Off Transistor (SWOT)

HIGH SPEED technology

Planar passivation

100 kHz switching rate

Very low switching losses

Very low dynamic saturation

Very low operating temperature

Optimized RBSOA

14283

High reverse voltage

Applications

Electronic lamp ballast circuits

Switch-mode power supplies

Absolute Maximum Ratings

case

= 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Collector-emitter voltage

Test Conditions

Symbol

Value

400

Unit

CEO

CEW

500

700

CES

EBO

Emitter-base voltage

Collector current

Collector peak current

Base current

Base peak current

150

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

case

≤ 25 C

tot

–65 to +150

stg

Maximum Thermal Resistance

case

= 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

thJC

Value

2.5

Unit

K/W

Junction case

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (9)

Rev. A2, 18-Jul-97

12 3 4 5 6 7...9

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