BU2720AX

更新时间： 2024-01-09 15:40:19

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管
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7页	79K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2720AX 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BU2720AX 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

BU2720AX

Normalised Power Derating

VCC

PD%

120

with heatsink compound

110

100

VCL

CFB

IBend

-VBB

T.U.T.

Ths /

100

120

140

Fig.15. Test Circuit RBSOA. V_CC= 150 V;

-V_BB= 1 - 4 V;

L_C= 1 mH; V_CL= 1500 V; L_B= 1 - 3 µH;

C_FB= 1 - 4 nF; I_B(end)= 0.8 - 4 A

Fig.13. Normalised power dissipation.

PD% = 100 PD/PD 25˚C = f (T_hs)

Zth / (K/W)

IC / A

BU2720AF/DF

0.5

0.1

0.2

0.1

0.05

Area where

fails occur

0.02

t_p

D =

0.01

0.001

D = 0

1E-06

1E-04

1E-02

t / s

1E+00

100

1000

1700

VCE / V

Fig.14. Transient thermal impedance.

_{th j-hs}= f(t); parameter D = t_p/T

Fig.16. Reverse bias safe operating area. T_j≤ T_jmax

September 1997

Rev 1.200

1 2 3 456 7

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