BU2720AF

更新时间： 2024-02-25 09:43:58

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管
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描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2720AF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BU2720AF 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

BU2720AF

PTOT / W

BU2720AF

hFE

BU2720/22AF

100

VCE = 1 V

Ths = 25 C

Ths = 85 C

IC = 4.5 A

f = 16 kHz

Tj = 85 C

0.01

0.1

100

0.5

1.0

1.5

2.0

IC / A

IB / A

Fig.7. DC current gain. h_FE= f (I_C)

Parameter T_hs

Fig.10. Limit P_tot; T_j= 85˚C

P_tot= f (I_B(end)); I_C= 4.5 A; f = 16 kHz

(Low and high gain)

PTOT / W

BU2720AF

VCEsat / V

BU2720AF

Tj = 85 C

Tj = 25 C

IC = 5.5 A

f = 16 kHz

Tj = 85 C

IC/IB = 8

IC/IB = 4

0.1

0.01

0.1

100

0.5

1.5

2.5

IB / A

IC / A

Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.

Fig.11. Limit P_tot; T_j= 85˚C

P_tot= f (I_B(end)); I_C= 5.5 A; f = 16 kHz

_CEsat= f (I_C); parameter I_C/I_B

VBEsat / V

BU2720AF

ts/tf / us

BU2720AF

0.9

0.8

0.7

0.6

Tj = 85 C

Tj = 25 C

IC = 5.5 A

4.5 A

IC = 4.5 A

IC = 5.5 A

0.5

1.5

0.5

1.5

2.5

IB / A

Fig.9. Typical base-emitter saturation voltage.

V_BEsat= f (I_B); parameter I_C

Fig.12. Limit storage and fall time.

t_s= f (I_B); tf = f (I_B); Parameter I_C; T_j= 85˚C; f = 16 kHz

Rev 1.300

September 1997

1 2 345 6 7

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