BU2720AF

更新时间： 2024-01-10 17:43:24

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管
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7页	79K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2720AF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BU2720AF 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

BU2720AF

ICsat

90 %

+ 50v

100-200R

10 %

Horizontal

Oscilloscope

IBend

Vertical

100R

30-60 Hz

- IBM

Fig.1. Test circuit for V_CEOsust

Fig.4. Switching times definitions.

IC / mA

+ 150 v nominal

adjust for ICsat

250

200

T.U.T.

IBend

-VBB

100

Cfb

min

VCE / V

VCEOsust

Fig.2. Oscilloscope display for V_CEOsust

Fig.5. Switching times test circuit.

ICsat

hFE

BU2720/22AF

TRANSISTOR

100

VCE = 5 V

DIODE

Ths = 25 C

Ths = 85 C

IBend

20us

26us

64us

VCE

0.01

0.1

100

IC / A

Fig.3. Switching times waveforms.

Fig.6. DC current gain. h_FE= f (I_C)

Parameter T_hs

(Low and high gain)

September 1997

Rev 1.300

1 234 5 6 7

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