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BT136S-800,118 PDF预览

BT136S-800,118

更新时间： 2024-11-28 14:41:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
6页 40K
描述
BT136S-800

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BT136S-800,118 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DPAK包装说明：PLASTIC, SC-63, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.16
Is Samacsys：N外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：100 V/us
最大直流栅极触发电流：35 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：15 mAJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：4 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：800 V
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BT136S-800,118 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT136S series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated triacs in  
a
plastic  
SYMBOL PARAMETER  
MAX.  
MAX.  
UNIT  
envelope, suitable for surface  
mounting, intended for use in  
BT136S -  
BT136S -  
600  
600F  
800  
800F  
applications  
requiring  
high  
bidirectional transient and blocking  
voltage capability and high thermal  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
600  
800  
V
cycling  
performance.  
Typical  
applications include motor control,  
industrial and domestic lighting,  
heating and static switching.  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
4
25  
4
25  
A
A
PINNING - SOT428  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
DESCRIPTION  
tab  
1
2
MT1  
MT2  
gate  
MT2  
T2  
T1  
3
2
G
1
3
tab  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 107 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
4
A
t = 20 ms  
-
-
-
25  
27  
3.1  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 6 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.  
June 2001  
1
Rev 1.300  
123456

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BT136S-800,118 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BT136S-800E,118 NXP

完全替代

 BT136S-800E
BT136S-800F,118 NXP

完全替代

 BT136S-800F
MAC4DSNT4G ONSEMI

类似代替

 Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

与BT136S-800,118相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT136S-800/T3 NXP

获取价格

 		TRIAC, 800 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
BT136S-800D WEEN

获取价格

 		Planar passivated very sensitive gate four quadrant triac in a TO252 (DPAK) surface-mounta
BT136S-800E NXP

获取价格

 		Triacs sensitive gate
BT136S-800E WEEN

获取价格

 		Planar passivated sensitive gate four quadrant triac in a SOT428 (DPAK) surface-mountable
BT136S-800E,118 NXP

获取价格

 		BT136S-800E
BT136S-800E/T3 NXP

获取价格

 		TRIAC, 800 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
BT136S-800E-T NXP

获取价格

 		800V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
BT136S800ET/R PHILIPS

获取价格

 		TRIAC, 800V V(DRM), 4A I(T)RMS
BT136S-800ET/R NXP

获取价格

 		800V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
BT136S-800F NXP

获取价格

 		Triacs

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