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BT136S-800E/T3 PDF预览

BT136S-800E/T3

更新时间： 2024-11-28 20:49:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
6页 39K
描述
TRIAC, 800 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3

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BT136S-800E/T3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.18其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：10 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：15 mAJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：4 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：800 V
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT136S-800E/T3 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
sensitive gate  
BT136S series E  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated, sensitive gate triacs in a  
plastic envelope, suitable for surface  
mounting, intended for use in general  
purpose bidirectional switching and  
phase control applications, where  
high sensitivity is required in all four  
quadrants.  
SYMBOL PARAMETER  
MAX.  
MAX.  
UNIT  
BT136S-  
600E  
600  
800E  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
4
25  
4
25  
A
A
PINNING - SOT428  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
DESCRIPTION  
tab  
1
2
MT1  
MT2  
gate  
MT2  
T2  
T1  
2
3
G
1
3
tab  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 107 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
4
A
t = 20 ms  
-
-
-
25  
27  
3.1  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 6 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.  
June 2001  
1
Rev 1.200  
123456

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与BT136S-800E/T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT136S-800E-T NXP

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 		800V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
BT136S800ET/R PHILIPS

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 		TRIAC, 800V V(DRM), 4A I(T)RMS
BT136S-800ET/R NXP

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 		800V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
BT136S-800F NXP

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 		Triacs
BT136S-800F WEEN

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 		Planar passivated four quadrant triac in a SOT428 (DPAK) surface-mountable plastic package
BT136S-800F,118 NXP

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BT136S800G PHILIPS

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 		Triacs
BT136S-800G-T NXP

获取价格

 		TRIAC, 800 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252
BT136S-800-T NXP

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 		800V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3

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