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BSS138W

更新时间： 2024-01-26 20:08:30
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 250K
描述
N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，210mA，3.5Ω

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BSS138W 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.56
Base Number Matches：1类别：Diodes
配置：SingleChannel Polarity：N
ESD：NMax PD(W)：0.2
Min PD(W)：50Max VGS (V)：±20
Max ID(A)：0.2Max IGSS(uA)：±1
Max VGS(th) (V)：1.5RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Typ：1400
RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Max：3500AEC Qualified：NO
最高工作温度：150最低工作温度：-55
MSL等级：1生命周期：Active
是否无铅：Yes符合Reach：Yes
符合RoHS：YesECCN代码：EAR99
Package Outlines：SOT-323

BSS138W 数据手册

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BSS138W  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
P
D
Maximum Power Dissipation Derate Above 25°C (Note 1)  
340  
2.72  
mW  
mW/°C  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
367  
°C/W  
θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
BV  
Drain to Source Breakdown Voltage  
V
I
= 0 V, I = 250 mA  
50  
−
−
−
V
DSS  
GS  
D
Breakdown Voltage Temperature Coeffi-  
cient  
= 250 mA, Referenced to 25°C  
−
71  
mV/°C  
DBVDSS(th)  
DTJ  
D
I
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
V
V
= 50 V, V = 0 V  
−
−
−
−
0.5  
5
mA  
mA  
nA  
DSS  
DS  
DS  
DS  
GS  
= 50 V, V = 0 V, T = 125°C  
GS  
J
= 30 V, V = 0 V  
100  
GS  
I
Gate−Body Leakage  
V
GS  
=
20 V, V = 0 V  
100  
nA  
GSS  
DS  
On Characteristics (Note2)  
V
GS(th)  
Gate to Threshold Voltage  
V
DS  
= V , I = 1mA  
0.8  
1.3  
1.5  
V
GS D  
Gate to Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
I = 1 mA, Referenced to 25°C  
D
−
−3.9  
−
mV/°C  
DVGS(th)  
DTJ  
R
Static Drain−Source On−Resistance  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
= 10 V, I = 0.22 A  
−
1.17  
1.36  
2.16  
3.5  
6.0  
5.8  
W
W
W
DS(on)  
D
= 4.5 V, I = 0.22 A  
D
= 10 V, I = 0.22 A, T = 125°C  
D
J
I
On−State Drain Current  
V
= 10 V, V = 5 V  
0.2  
−
−
A
S
D(on)  
GS  
DS  
DS  
g
FS  
Forward Transconductance  
V
= 10 V, I = 0.22 A  
0.12  
D
Dynamic Characteristics  
C
Input Capacitance  
V
= 25 V, V = 0 V, f = 1.0 MHz  
−
−
−
−
38  
5.9  
3.5  
11  
−
−
−
−
pF  
pF  
pF  
W
iss  
DS  
GS  
GS  
C
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
oss  
C
rss  
R
V
= 15 mV, f = 1.0 MHz  
g
Switching Characteristics  
t
Turn−On Delay Time  
Turn−On Rise Time  
Turn−Off Delay Time  
Turn−Off Fall Time  
Total Gate Change  
Gate−Source Change  
Gate−Drain Change  
V
V
= 30 V, I = 0.29 A,  
−
−
−
−
−
−
−
2.3  
1.9  
5
18  
36  
14  
−
ns  
ns  
d(on)  
DD  
GS  
D
= 10 V, R  
= 6 Ω  
GEN  
t
r
t
6.7  
ns  
d(off)  
t
f
6.5  
ns  
Q
V
DS  
V
GS  
= 25 V, I = 0.22 A,  
1.1  
nC  
nC  
nC  
g
D
= 10 V  
Q
0.12  
0.22  
−
gs  
gd  
Q
−
Drain−Source Diode Characteristics  
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current  
Drain−Source Diode Forward Voltage = 0 V, I = 0 44 A (Note 2)  
I
−
−
−
−
0.22  
1.4  
A
V
S
V
SD  
V
GS  
S
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
1. 367°C/W When Mounted on a minimum pad.  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%  
www.onsemi.com  
2
 
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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