5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.14 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 1000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 250 ns | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP41TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP41TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BSP42 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| BSP42 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIER |
|
| BSP42 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BSP42T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP42-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP42-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP42TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP42TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
