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BSP43

更新时间： 2024-02-16 07:07:42
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德欧泰克 - DIOTEC 晶体晶体管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 117K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BSP43 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.14最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：1000 ns最大开启时间（吨）：250 ns
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

BSP43 数据手册

 浏览型号BSP43的Datasheet PDF文件第2页 
BSP 40 ... BSP 43  
NPN  
Switching Transistors  
NPN  
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors  
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage  
6.5±0.2  
3±0.1  
Power dissipation – Verlustleistung  
1.3 W  
1.65  
Plastic case  
SOT-223  
4
Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.04 g  
3
1
2
Plastic material has UL classification 94V-0  
0.7  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
2.3  
3.25  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
Dimensions / Maße in mm  
1 = B 2, 4 = C 3 = E  
Maximum ratings (TA = 25ꢀC)  
Grenzwerte (TA = 25ꢀC)  
BSP 40  
BSP 42  
BSP 41  
60 V  
BSP 43  
Collector-Emitter-voltage  
Collector-Base-voltage  
Emitter-Base-voltage  
Power dissipation – Verlustleistung  
Collector current – Kollektorstrom (dc)  
B open  
E open  
C open  
VCE0  
VCB0  
VEB0  
Ptot  
80 V  
90 V  
70 V  
5 V  
1.3 W 1)  
1 A  
IC  
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM  
2 A  
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
IBM  
Tj  
TS  
200 mA  
150ꢀC  
- 65…+ 150ꢀC  
Characteristics (Tj = 25ꢀC)  
Kennwerte (Tj = 25ꢀC)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom  
IE = 0, VCB = 60 V  
ICB0  
ICB0  
–
–
–
–
100 nA  
50 ꢀA  
IE = 0, VCB = 60 V, Tj = 150ꢀC  
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom  
IC = 0, VEB = 5 V  
IEB0  
–
–
100 nA  
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. 2)  
IC = 150 mA, IB = 15 mA  
IC = 500 mA, IB = 50 mA  
VCEsat  
VCEsat  
–
–
–
–
250 mV  
500 mV  
1
2
)
)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß  
Tested with pulses tp = 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%  
4
01.11.2003  
12

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