5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.78 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.8 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQT7N10TF | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，1.7 A，350 mΩ，SOT-2 |
|
| BSP373 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP373L6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP373N | INFINEON |
获取价格 |
所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 |
|
| BSP373NH6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 |
|
| BSP373NH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 |
|
| BSP40 | ZETEX |
获取价格 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
|
| BSP40 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIER |
|
| BSP40 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BSP40-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP40T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP40-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
