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BSP41

更新时间： 2024-01-22 09:27:50

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	117K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BSP41 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	1000 ns
最大开启时间（吨）：	250 ns	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

BSP41 数据手册

BSP 40 ... BSP 43

NPN

Switching Transistors

NPN

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

6.5^±0.2

3^±0.1

Power dissipation – Verlustleistung

1.3 W

1.65

Plastic case

SOT-223

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.04 g

Plastic material has UL classification 94V-0

0.7

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2.3

3.25

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2, 4 = C 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BSP 40

BSP 42

BSP 41

60 V

BSP 43

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

80 V

90 V

70 V

5 V

1.3 W ¹)

1 A

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

2 A

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

I_BM

T_j

T_S

200 mA

150ꢀC

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, V_CB= 60 V

I_CB0

–

100 nA

50 ꢀA

I_E= 0, V_CB= 60 V, T_j= 150ꢀC

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, V_EB= 5 V

I_EB0

–

100 nA

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ²)

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_CEsat

–

250 mV

500 mV

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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与BSP41相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BSP41,115	NXP	BSP41 - 60 V, 1 A NPN medium power transistor SC-73 4-Pin	获取价格
BSP41-T	NXP	TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpos	获取价格
BSP41T/R	NXP	TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpos	获取价格
BSP41T/R	PHILIPS	Transistor	获取价格
BSP41TA	DIODES	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4	获取价格
BSP41-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	获取价格

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