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BSP373L6327HTSA1

更新时间： 2024-01-13 12:03:14

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英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	353K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP373L6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.13
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	45 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	1.7 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.8 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSP373L6327HTSA1 数据手册

BSP373

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche rated

• V

= 2.1 ... 4.0 V

GS(th)

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Qualified according to AEC Q101

•

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Pin 4

Type

Package

PG-SOT223

Marking

V_DS

I_D

R_DS(on)

0.3

BSP373

100 V

1.7 A

Ω

BSP373

Type

RoHS compliant

Tape and Reel Information Packaging

L6327: 1000 pcs/reel Non dry

BSP373

Yes

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

1.7

Unit

Continuous drain current

T = 28 ˚C

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 ˚C

6.8

Avalanche energy, single pulse

I = 1.7 A, V = 25 V, R = 25

Ω

L = 23.3 mH, T = 25 ˚C

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 ˚C

1.8

Rev 2.0

2008-03-31

12 3 4 5 6 7...9

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