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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.14 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP41-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP41-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP41TC | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BSP41TRL | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP41TRL | YAGEO |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BSP41TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP41TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BSP42 | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| BSP42 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIER |
|
| BSP42 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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