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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 5.65 | 雪崩能效等级（Eas）： | 590 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-MBCC-N3 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 78 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSC028N06NSATMA1 | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS⢠Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSB029P03LX3G | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| BSB029P03NX3 | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSB029P03NX3G | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| BSB044N08NN3 G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| BSB044N08NN3G | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSB044N08NN3GXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 80V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSB053N03LPG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-MOSFET |
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| BSB056N10NN3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
|
| BSB056N10NN3G | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSB056N10NN3GXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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