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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-MBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 雪崩能效等级（Eas）： | 660 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0044 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-MBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 78 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Silver/Nickel (Ag/Ni) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSC042NE7NS3G | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSB044N08NN3GXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 80V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSB053N03LPG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-MOSFET |
|
| BSB056N10NN3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
|
| BSB056N10NN3G | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSB056N10NN3GXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSB104N08NP3 G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
|
| BSB104N08NP3GXUSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 80V, 0.0104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSB1270002 | ETC |
获取价格 |
OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD |
|
| BSB1270003 | ETC |
获取价格 |
OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD |
|
| BSB150N15NZ3 | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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